Главная новостьInfineon и Skeleton разработают питание для ИИ-ЦОД на CoolSiC и CoolGaN
Infineon и Skeleton Technologies подписали меморандум о совместной разработке энергоэффективной и отказоустойчивой архитектуры питания для ИИ-дата-центров. Партнёры намерены охватить всю цепочку преобразования...
В фокусеNorthrop Grumman создаст RF-чипы с алмазным теплоотводом для DARPA
Northrop Grumman получила контракт DARPA на 7 млн долларов для второй фазы программы THREADS . Проект предусматривает интеграцию алмазного теплоотвода непосредственно в высокомощные радиочастотные схемы ( radio...
В фокусеNavitas и GlobalFoundries запускают выпуск Gen 5 GaNFast на 200-мм линии в США
Navitas Semiconductor и GlobalFoundries запускают первые поставки силовых компонентов Gen 5 GaNFast, изготовленных в США. Производство перенесено на 200-мм линию GaN-on-Si в Берлингтоне, штат Вермонт; первые пластины...
В фокусеNexperia и Aurobay изучат GaN и SiC для электрифицированных силовых установок
Nexperia и Aurobay Technologies намерены оценить стратегическое сотрудничество по силовым полупроводникам для электрифицированных и гибридных автомобилей. В проекте объединят компетенции Nexperia в GaN и SiC с опытом...
В фокусеEPFL создала GaN-on-Si транзистор iPSJ с блокировкой свыше 3,4 кВ
Исследователи POWERlab при EPFL представили GaN-on-Si транзистор iPSJ — прибор с внутренним поляризационным суперпереходом. Разработка, опубликованная в Nature Electronics, нацелена на высоковольтную силовую электронику,...
НовостиSumitomo Chemical начала выпуск 4-дюймовых InP-эпипластин
Sumitomo Chemical запустила серийное производство и продажи 4-дюймовых InP-эпипластин на площадке Ibaraki Works в Хитати. Речь идёт о пластинах на основе фосфида индия для оптических полупроводников; компания называет...
