Главная новостьPurdue и GCCS масштабируют SiC-подложки до 8 и 12 дюймов
Purdue University и тайваньская GlobalWafers Crystal Growth & Solutions развивают партнёрство по масштабированию SiC-подложек до 8- и 12-дюймовых форматов. Для отрасли силовой электроники это важно из-за зависимости...
В фокусеToshiba подготовила SiC MOSFET для 800-вольтовых AI дата-центров
Toshiba начала тестовые поставки 1200-вольтового trench-gate SiC MOSFET для силовых каскадов в инфраструктуре AI дата-центров. Компонент рассчитан на 800-вольтовые системы питания, где особенно важны плотность мощности и...
В фокусеimec и EV Group показали гибридное соединение пластин с шагом 200 нм
Electronics Weekly сообщает, что imec и EV Group продемонстрировали технологию wafer-to-wafer hybrid bonding с медными контактными площадками с шагом 200 нм на тестовой структуре с трассируемыми межсоединениями.
Такие...
В фокусеRotaku получила поддержку для разработки гуманоидных роботов
EENews Europe пишет, что Rotaku привлекла поддержку американского фонда ранней стадии для разработки доступных и более ловких гуманоидных роботов для разработчиков и исследователей робототехники.
Компания делает акцент...
В фокусеROHM добавила PLECS-симулятор для силовой электроники
EENews Europe сообщает, что ROHM открыла на своём сайте ROHM PLECS Simulator — браузерный инструмент для предварительной оценки силовых устройств на ранних этапах проектирования схем.
Сервис основан на PLECS и...
НовостиXanadu и EVG развивают bonding пластин для фотонных квантовых систем
Xanadu и EV Group объявили о сотрудничестве по процессам гетерогенной интеграции и wafer bonding для фотонных квантовых систем.
Для полупроводниковой отрасли это важный пример того, как технологии соединения пластин и...
НовостиWolfspeed выпустила 3,3 кВ SiC-модули в стандартных корпусах
Wolfspeed представила 3,3 кВ SiC power modules в двух стандартных форм-факторах. Это направление важно для высоковольтных промышленных систем, энергетики и питания дата-центров.
Стандартные корпуса упрощают интеграцию...
НовостиInfineon представила SiC-модуль, работающий при 205 °C
Infineon сообщила о первом силовом модуле на карбиде кремния , рассчитанном на работу при температуре до 205 °C. Такой уровень важен для компактных и нагруженных силовых систем.
Повышенная температурная стойкость может...
НовостиApplied Materials и TSMC ускоряют масштабирование AI-чипов
Applied Materials и TSMC расширяют сотрудничество в EPIC Center в Кремниевой долине, чтобы ускорить масштабирование AI-чипов и передовых полупроводниковых процессов.
Такие инициативы важны для всей цепочки поставки:...
НовостиInfineon представит силовую электронику для AI и электромобильности на PCIM Europe
Infineon готовит демонстрацию портфеля силовых полупроводников на PCIM Europe 2026. В фокусе — решения для инфраструктуры питания, AI-дата-центров , робототехники и электромобильности.
Для рынка электронных компонентов...
НовостиADAS смещается от датчиков к вычислениям и ПО
Electronics Weekly со ссылкой на Yole отмечает, что рынок ADAS может вырасти более чем до 66 млрд долларов к 2031 году, а основная ценность постепенно смещается от отдельных сенсоров к вычислительным платформам и...
НовостиЧиплеты как опора европейской стратегии полупроводников
EE Times разбирает, может ли Европа конкурировать в передовых полупроводниках только за счёт новых фабрик. Ключевой вывод материала: одной гонки за leading-edge fabs недостаточно, всё большее значение получают чиплеты ,...
НовостиSTMicroelectronics расширила линейку STPOWER 700-вольтовыми PowerGaN-компонентами
STMicroelectronics расширила портфель STPOWER новыми 700-вольтовыми PowerGaN-компонентами. Такие силовые полупроводники рассчитаны на повышение КПД и плотности мощности в высоковольтных источниках питания, промышленной...
