Purdue University и тайваньская GlobalWafers Crystal Growth & Solutions развивают партнёрство по масштабированию SiC-подложек до 8- и 12-дюймовых форматов. Для отрасли силовой электроники это важно из-за зависимости себестоимости и доступности компонентов от качества исходных пластин.
Карбид кремния остаётся ключевым материалом для высоковольтных преобразователей, электромобилей, промышленной энергетики и дата-центров. Увеличение диаметра пластин может дать больше кристаллов на одной партии и ускорить переход SiC-решений в массовые применения.
Для производителей аппаратуры такая новость означает необходимость следить не только за готовыми транзисторами и диодами, но и за всей цепочкой поставок: подложками, эпитаксией, корпусированием и тестированием.
Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Диоды силовые в каталоге ООО «Телеметрия».
