Toshiba начала тестовые поставки 1200-вольтового trench-gate SiC MOSFET для силовых каскадов в инфраструктуре AI дата-центров. Компонент рассчитан на 800-вольтовые системы питания, где особенно важны плотность мощности и тепловой режим.
Новый прибор в корпусе QDPAK с верхним охлаждением ориентирован на повышение допустимого тока и снижение потерь. Для разработчиков источников питания это ещё один сигнал, что карбид кремния становится рабочей технологией не только для электромобилей, но и для серверной энергетики.
Закупщикам стоит заранее учитывать рост спроса на SiC-ключи, драйверы, конденсаторы и элементы силовой обвязки: переход к более высоким напряжениям меняет требования к всей компонентной базе.
Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Транзисторы в каталоге ООО «Телеметрия».
