Infineon представила SiC-модуль, работающий при 205 °C

31 мая 202623:17

Infineon представила SiC-модуль, работающий при 205 °C

Infineon сообщила о первом силовом модуле на карбиде кремния, рассчитанном на работу при температуре до 205 °C. Такой уровень важен для компактных и нагруженных силовых систем.

Повышенная температурная стойкость может помочь проектировать инверторы и преобразователи с меньшими ограничениями по охлаждению, особенно в электромобильности, промышленности и энергетике.

Для закупщиков это повод внимательнее отслеживать доступность SiC-компонентов, MOSFET-транзисторов, драйверов и решений для теплового режима.

Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) в каталоге ООО «Телеметрия».

Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль