SiC-модуль Infineon для работы при 205 °C  

Telemetrya industry watch

Infineon представила SiC-модуль, работающий при 205 °C

Infineon сообщила о первом силовом модуле на карбиде кремния , рассчитанном на работу при температуре до 205 °C. Такой уровень важен для компактных и нагруженных силовых систем. Повышенная температурная…

Infineon представила SiC-модуль, работающий при 205 °C
Telemetrya · industry watch

Infineon сообщила о первом силовом модуле на карбиде кремния, рассчитанном на работу при температуре до 205 °C. Такой уровень важен для компактных и нагруженных силовых систем.

Повышенная температурная стойкость может помочь проектировать инверторы и преобразователи с меньшими ограничениями по охлаждению, особенно в электромобильности, промышленности и энергетике.

Для закупщиков это повод внимательнее отслеживать доступность SiC-компонентов, MOSFET-транзисторов, драйверов и решений для теплового режима.

Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) в каталоге ООО «Телеметрия».

Нужен компонент или аналог?

Отправьте заявку — проверим наличие, сроки поставки и варианты замены под ваш BOM.

Отправить RFQ
#Infineon#SiC#карбид кремния#силовой модуль#MOSFET
А
Александр
Редакция «Телеметрия»

Следит за развитием аппаратной части AI-инфраструктуры и переводит индустриальные новости в практические выводы для инженеров и снабженцев B2B-сегмента электроники.

Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль