ASML и TSMC объявили отраслевую инициативу по переходу от нынешних 6-дюймовых масок к 12-дюймовым фотошаблонам для литографии High-NA EUV. Проект должен раскрыть возможности следующего поколения экспонирования при выпуске передовых микросхем.
Увеличенный фотошаблон позволит размещать больше топологии в одном рабочем поле, повысить производительность сканера и снизить удельную стоимость изготовления чипов. Отдельная задача — убрать ограничения стичинга, когда крупный рисунок приходится собирать из нескольких экспозиций.
TSMC намерена начать серийное применение High-NA EUV на передовых техпроцессах в 2030 году, сначала с существующими 6-дюймовыми масками. По мере усложнения транзисторных архитектур для AI-чипов число слоёв, требующих такой литографии, будет расти.
Дорожная карта предусматривает запуск пилотной линии 12-дюймовых масок к 2031 году и готовность полноформатных литографических систем для передовых норм к 2033 году. К инициативе уже проявили интерес производители полупроводников, поставщики масок и другие участники технологической цепочки.
Для разработчиков и снабжения переход важен как ранний индикатор того, как изменятся производство микросхем, сроки освоения передовых техпроцессов и стоимость компонентной базы. Для подбора вычислительных микросхем смотрите раздел «Микропроцессорные схемы» в каталоге ООО «Телеметрия».
