Южнокорейская IVWorks переводит выпуск 100–200-мм GaN-эпипластин для ВЧ- и силовой электроники от автоматизации по фиксированным процедурам к автономному управлению. Основой модернизации стала собственная ИИ-платформа DOMM, работающая на серийных линиях компании.
Эпитаксия нитрида галлия требует стабильного контроля роста кристалла. С 2019 года IVWorks накопила более 330 млн временных точек по температуре и давлению оборудования и свыше 30 ТБ данных RHEED — дифракции быстрых электронов, применяемой для наблюдения за поверхностью в процессе MBE.
Модели DOMM оценивают условия роста и выявляют отклонения, а система MRA выполняет сам технологический цикл: загрузку пластины, выращивание эпитаксиального слоя и выгрузку. Следующий этап — ИИ-агенты, которые будут сопоставлять состояние оборудования, историю партий и показатели качества, чтобы рекомендовать обслуживание и производственный план.
IVWorks рассчитывает повысить загрузку оборудования примерно с 84 до 89% и снизить потребность в персонале с двух до 1,5 оператора на установку. Автономная работа ночью и в выходные должна улучшить стабильность качества, сроки поставки и себестоимость эпитаксиальных материалов.
Такие GaN-материалы применяются в силовых преобразователях, системах связи 5G/6G, AESA-радарах и оптических интерконнектах. Для разработки силовых каскадов на широкозонных полупроводниках смотрите раздел «Полевые транзисторы FET/MOSFET» в каталоге ООО «Телеметрия».
