Корейская foundry DB HiTek завершила квалификацию надёжности собственного 8-дюймового техпроцесса 1200 В SiC MOSFET на пластинах 200 мм. Компания называет это ключевым шагом к foundry-сервису карбида кремния и готовит серийный запуск в 2027 году.
Пока рынок SiC MOSFET в основном держится на 6-дюймовых пластинах, крупные производители переходят на 8 дюймов ради выхода годных и стоимости кристалла. DB HiTek отвечает на этот сдвиг полной технологической цепочкой: от проектирования до электрических измерений и квалификации надёжности.
Для второго поколения процесса заявлены удельное сопротивление во включённом состоянии Rsp не выше 2,5 мОм·см² и пороговое напряжение Vth не ниже 3 В при Vgs(on) 18 В. Третье поколение, PDK которого обещан в ноябре, целится в Rsp ≤ 2,3 мОм·см² и время короткого замыкания SCWT не менее 2,5 мкс.
Заказчикам уже доступны PDK первого и второго поколений 1200 В SiC MOSFET; доступ для постоянных клиентов планируется в III квартале 2026 года, открытый сервис — со II квартала 2027 года. Для разработчиков силовой электроники это сигнал заранее закладывать 8-дюймовый SiC foundry в дорожные карты инверторов и высоковольтных преобразователей.
Для подбора силовых ключей смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
