Sivers Semiconductors направит $30 млн на расширение производства фотонных компонентов на фосфиде индия в Глазго. Проект рассчитан на рост спроса со стороны AI-дата-центров и высокоскоростных оптических сетей.
После завершения работ площадка должна выпускать более 100 млн лазеров класса CW-DFB в год. Компания также планирует добавить новые технологические процессы, увеличить автоматизацию и сделать производственную линию гибче для разных клиентских программ.
Расширение начнётся во второй половине 2026 года, а ввод новых мощностей намечен на IV квартал 2027 года. Одновременно Sivers переходит от fab-lite к гибридной модели: собственное производство будет сочетаться с внешними фабриками, упаковочными и контрактными партнёрами.
Для цепочки поставок оптоэлектроники это сигнал о подготовке к серийному росту InP-лазеров и полупроводниковых оптических усилителей. Однако мощность пока плановая, поэтому разработчикам трансиверов и сетевого оборудования важно учитывать график запуска при долгосрочном планировании BOM.
Для подбора источников света и компонентов оптического тракта смотрите раздел «Лазерные излучатели» каталога ООО «Телеметрия».
