Исследователи из SUSTech, Сямыньского университета, KAUST и Университета Миэ продемонстрировали один InGaN MCLED, способный при изменении тока перестраивать электролюминесценцию в диапазоне 420–680 нм. Полоса шириной около 260 нм охватывает почти 70% видимого спектра и показывает путь к монолитным полноцветным источникам света.
Микрорезонаторный светодиод выращен методом MOCVD на структурированной сапфировой подложке. В активной области объединены красные двойные и синяя одиночная квантовые ямы InGaN, а сверхрешётка InGaN/GaN помогает снизить механические напряжения и улучшить качество кристалла.
При увеличении плотности тока устройство последовательно формировало пики около 626, 532 и 456 нм. Оптический резонатор дал моды вплоть до 673 нм, а ширина линии оставалась менее 8 нм, что заметно улучшает чистоту цвета по сравнению с более ранними перестраиваемыми структурами.
Пиковая внешняя квантовая эффективность достигла 7,68%, максимальная оптическая мощность — 264 мВт, а напряжение включения — 6,3 В. До практических полноцветных микродисплеев ещё далеко: исследователям предстоит улучшить теплоотвод и баланс RGB-интенсивности, а также равномерность свечения.
Для разработчиков дисплейной и оптоэлектронной аппаратуры результат важен как пример объединения нескольких цветов в одном нитридном кристалле. Компоненты для видимой индикации представлены в разделе «Светодиоды видимого спектра» каталога ООО «Телеметрия».
