Главная новостьNisshinbo NB7401: вторичная защита для 2–4 Li-ion ячеек
Nisshinbo Micro Devices выпустила NB7401HC — микросхему вторичной защиты для сборок из 2–4 последовательно соединённых Li-ion или Li-polymer ячеек . Она дополняет основной контроллер батареи независимым каналом контроля...
В фокусеSilicon Line представила MSDL 20G для передачи MIPI D-PHY на десятки метров
Silicon Line, входящая в EverProX, представила комплект MSDL 20G для переноса интерфейса MIPI D-PHY на расстояния, недоступные обычному соединению внутри устройства. В состав решения входят сериализатор SL8582x и...
В фокусе5N+ создаст в США производство GaAs-компонентов для оборонной электрооптики
5N+ выбрана для получения финансирования в размере 7,3 млн долларов на создание в США производства GaAs-компонентов для оборонной электрооптики . Новую квалифицированную площадку планируют развернуть на предприятии...
В фокусеMidas Displays и CLAF: расширение линейки блоков питания для дисплейных решений
Британский поставщик дисплейных решений Midas Displays заключил партнёрское соглашение с компанией CLAF из Гуанчжоу, чтобы расширить линейку предлагаемых источников питания. Для интеграторов и разработчиков промышленной...
В фокусеZeiss: Китай отстаёт в технологии производства микросхем примерно на 15 лет
Производство микросхем остаётся самой капиталоёмкой частью электронной отрасли, и разрыв в литографии снова в центре внимания. Фрэнк Ромунд, глава полупроводникового подразделения Zeiss SMT — единственного поставщика...
НовостиIQE и Quintessent: контракт на эпитаксию для квантово-точечных лазеров выходит на стадию клиентских образцов
IQE (Кардифф, Великобритания) и Quintessent (Санта-Барбара, США) подписали контракт на поставку эпитаксиальных структур для квантово-точечных лазеров (QD-лазеров). Технология Quintessent — гетерогенная интеграция...
НовостиPress-fit: надёжные бессвинцовые межсоединения PCB набирают отрасли
Технология press-fit , десятилетиями применявшаяся в телеком-инфраструктуре, расширяет присутствие в новых отраслях: промышленной автоматизации, энергетике, робототехнике и бортовой электронике. Вместо пайки упругий вывод...
НовостиATEK MIDAS покажет новые MMIC и заказные RFIC на EuMW 2026
ATEK MIDAS представит на выставке EuMW 2026 в Лондоне новые компоненты и услуги разработки для СВЧ-трактов. Компания специализируется на аналоговых и mixed-signal ASIC, кремниевых RFIC, а также монолитных...
НовостиInfineon и Skeleton разработают питание для ИИ-ЦОД на CoolSiC и CoolGaN
Infineon и Skeleton Technologies подписали меморандум о совместной разработке энергоэффективной и отказоустойчивой архитектуры питания для ИИ-дата-центров. Партнёры намерены охватить всю цепочку преобразования...
НовостиNorthrop Grumman создаст RF-чипы с алмазным теплоотводом для DARPA
Northrop Grumman получила контракт DARPA на 7 млн долларов для второй фазы программы THREADS . Проект предусматривает интеграцию алмазного теплоотвода непосредственно в высокомощные радиочастотные схемы ( radio...
НовостиNavitas и GlobalFoundries запускают выпуск Gen 5 GaNFast на 200-мм линии в США
Navitas Semiconductor и GlobalFoundries запускают первые поставки силовых компонентов Gen 5 GaNFast, изготовленных в США. Производство перенесено на 200-мм линию GaN-on-Si в Берлингтоне, штат Вермонт; первые пластины...
НовостиNexperia и Aurobay изучат GaN и SiC для электрифицированных силовых установок
Nexperia и Aurobay Technologies намерены оценить стратегическое сотрудничество по силовым полупроводникам для электрифицированных и гибридных автомобилей. В проекте объединят компетенции Nexperia в GaN и SiC с опытом...
НовостиEPFL создала GaN-on-Si транзистор iPSJ с блокировкой свыше 3,4 кВ
Исследователи POWERlab при EPFL представили GaN-on-Si транзистор iPSJ — прибор с внутренним поляризационным суперпереходом. Разработка, опубликованная в Nature Electronics, нацелена на высоковольтную силовую электронику,...
