5N+ выбрана для получения финансирования в размере 7,3 млн долларов на создание в США производства GaAs-компонентов для оборонной электрооптики. Новую квалифицированную площадку планируют развернуть на предприятии компании в Сент-Джордже, штат Юта.
Проект должен закрыть дефицит локальных поставщиков: сейчас американские подрядчики зависят от зарубежных источников электрооптических изделий на основе арсенида галлия. Для заказчиков критичных систем это означает более управляемую цепочку поставок и локальную квалификацию компонентов.
5N+ намерена установить оборудование для выращивания кристаллов и компаундирования GaAs, а также внедрить контроль технологических процессов и инспекцию. Первым заказчиком станет Lockheed Martin: после квалификации стороны рассчитывают перейти к контролируемому мелкосерийному выпуску.
Созданные мощности могут позднее использоваться для выпуска GaAs-подложек и других специальных полупроводниковых материалов. В числе перспективных направлений названы космические солнечные элементы, высокочастотные устройства и новые сенсорные системы.
При подборе компонентов для фотоприёмных и измерительных узлов важно учитывать спектральный диапазон, чувствительность, корпус и условия эксплуатации. Доступные решения представлены в разделе «Оптические датчики и датчики света» каталога ООО «Телеметрия».
