Navitas Semiconductor и GlobalFoundries запускают первые поставки силовых компонентов Gen 5 GaNFast, изготовленных в США. Производство перенесено на 200-мм линию GaN-on-Si в Берлингтоне, штат Вермонт; первые пластины запланированы к отгрузке в сентябре 2026 года.
Стартовое семейство включает 650-В GaN-транзисторы с сопротивлением открытого канала 11, 18, 50, 120 и 150 мОм. Внутренние образцы ожидаются в октябре, а поставки стратегическим заказчикам — до конца года, поэтому речь идёт о поэтапном выводе технологии, а не о полной доступности всей линейки со склада.
Архитектура Gen 5 GaNFast объединяет силовой ключ, управление затвором, контроль, измерение и защиту. Navitas адаптировала собственные структуры и технологические наборы к серийному процессу GlobalFoundries, чтобы масштабировать выпуск GaN-компонентов для высокочастотных преобразователей.
Целевые применения охватывают питание AI-инфраструктуры, высокопроизводительные вычисления и промышленную электрификацию. Для инженеров и закупщиков важны не только номинал 650 В и RDS(ON), но и квалификация конкретного корпуса, тепловой режим, схема драйвера и фактические сроки предоставления образцов.
Для подбора силовых ключей и функциональных аналогов смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
