Главная новостьInfineon и SolarEdge развивают SSCB на CoolSiC JFET для 800VDC ИИ-ЦОД
Infineon и SolarEdge расширили сотрудничество на твердотельные выключатели SSCB для высоковольтного постоянного тока в ИИ- и hyperscale-дата-центрах. Цель — безопасная селективная защита плотной инфраструктуры 800VDC...
В фокусеRenesas представила 64-битные MPU RZ/G3L и RZ/G3SE для HMI и IoT Edge
Renesas расширила семейство RZ/G двумя 64-битными микропроцессорами общего назначения — RZ/G3L и RZ/G3SE . Приборы рассчитаны на промышленные и потребительские HMI, IoT-шлюзы и домашние шлюзы, где нужны...
В фокусеAnalog Devices купит Alif Semiconductor за 1,35 млрд долларов для edge AI
Analog Devices договорилась купить Alif Semiconductor за 1,35 млрд долларов наличными. Сделка добавляет к портфелю ADI платформу AI-native микроконтроллеров и fusion-процессоров для локального интеллекта на периферии....
В фокусеDB HiTek квалифицировала 8-дюймовый техпроцесс 1200 В SiC MOSFET
Корейская foundry DB HiTek завершила квалификацию надёжности собственного 8-дюймового техпроцесса 1200 В SiC MOSFET на пластинах 200 мм. Компания называет это ключевым шагом к foundry-сервису карбида кремния и готовит...
В фокусеPMIC Infineon OPTIREG TLE9744QK объединяет питание и ASIL-D-защиту инвертора
Infineon представила специализированную PMIC OPTIREG TLE9744QK для высоковольтных тяговых инверторов электромобилей и гибридов. Микросхема объединяет питание управляющей электроники, формирование сигнала резольвера и...
НовостиPulsiv сменила CEO перед коммерческим масштабированием AC-DC-технологии
Британская Pulsiv назначила Тима Джойса генеральным директором и членом совета директоров. Кадровое решение принято на этапе, когда разработчик силовой электроники переходит от создания базовой технологии к...
НовостиIVWorks переводит производство GaN-эпипластин под управление ИИ
Южнокорейская IVWorks переводит выпуск 100–200-мм GaN-эпипластин для ВЧ- и силовой электроники от автоматизации по фиксированным процедурам к автономному управлению. Основой модернизации стала собственная ИИ-платформа...
НовостиASML и TSMC готовят 12-дюймовые фотошаблоны для High-NA EUV
ASML и TSMC объявили отраслевую инициативу по переходу от нынешних 6-дюймовых масок к 12-дюймовым фотошаблонам для литографии High-NA EUV . Проект должен раскрыть возможности следующего поколения экспонирования при...
НовостиVishay CHEP: СВЧ-резисторы 0402/0603 мощностью до 2,8 Вт
Vishay Intertechnology представила тонкоплёночные СВЧ-резисторы Sfernice CHEP в корпусах 0402 и 0603. Подложка из нитрида алюминия (AlN) помогает отводить тепло в печатную плату, сохраняя стандартную площадь...
НовостиYole: фотоника становится условием масштабирования AI-дата-центров
Yole Group в исследовании Photonics at the Speed of AI отмечает: в кластерах из десятков тысяч GPU ограничением становится уже не только вычислительная мощность, но и сеть. Задержки мешают синхронизации, пропускная...
НовостиModelithics обновила библиотеку Qorvo GaN: добавлена модель 200-Вт транзистора QPD2562L
Modelithics Qorvo GaN Library v26.5.11 получила обновлённый набор измерительных нелинейных моделей кристаллов и корпусных силовых ВЧ-транзисторов Qorvo. Библиотека предназначена для проектирования радиочастотных...
Новостиbinder представила угловые M12-A разъёмы midmount для компактных датчиков
binder расширила линейку панельных разъёмов M12-A угловой конструкцией midmount : соединитель стоит в одной плоскости с печатной платой, а не над ней. Решение рассчитано на компактную промышленную электронику в узких...
НовостиROHM представила 650-В IGBT 4-го поколения с VCE(sat) 1,55 В
ROHM выпустила четвёртое поколение автомобильных 650-В IGBT с напряжением насыщения VCE(sat) 1,55 В и квалификацией AEC-Q101 . Кремниевые приборы закрывают вспомогательные контуры электромобиля, тогда как SiC всё...
