Главная новостьBosch получит до $225 млн по программе CHIPS для SiC-производства в Roseville
Bosch заключила окончательное соглашение с Министерством торговли США: компания может получить до $225 млн по программе CHIPS. Средства поддержат инвестиции объёмом до $2 млрд в переоснащение фабрики Roseville в Калифорнии для выпуска и тестирования SiC-полупроводников .
Площадка, приобретённая у TSI Semiconductors, уже начала выпуск образцов....
В фокусеWeEn представила SiC-модули WMSC на 1200–2300 В для SST и зарядных систем
WeEn Semiconductors представила семейство SiC-модулей WMSC для силовых систем с рабочим напряжением от 1200 до 2300 В. Новые решения ориентированы на твердотельные трансформаторы, зарядную инфраструктуру для электромобилей, интеллектуальные сети и установки возобновляемой энергетики.
В линейке заявлены более двадцати конфигураций для AC-DC и...
В фокусеAehr получила заказы на $8 млн на WLBI-тестирование SiC-приборов
Aehr Test Systems получила новые заказы на сумму свыше $8 млн для wafer-level burn-in — испытаний полупроводниковых приборов на уровне пластины. В фокусе поставок — решения для оценки надежности SiC-приборов , применяемых в тяговой электронике и системах зарядки электромобилей.
Заказчик расширяет применение контактных систем FOX WaferPak для...
В фокусеEPC покажет eGaN-решения для силовой электроники на Tech Taipei Power 2026
EPC (Efficient Power Conversion) представит на конференции Tech Taipei Power 2026 в Тайване линейку решений на базе eGaN — enhancement-mode gallium nitride power FETs и интегральных схем управления питанием для AI-инфраструктуры, промышленности, автоэлектроники и робототехники.
Фокус мероприятия — современные технологии силовой электроники...
В фокусеUMC и SILITH начали серийные поставки кремний-фотонных микросхем
UMC и SILITH Technology объявили о первой серийной поставке фотонных интегральных схем с 12-дюймовой фабрики UMC в Сингапуре. Платформа кремниевой фотоники рассчитана на оптические межсоединения 1,6 Тбит/с для AI- и гипермасштабируемых дата-центров.
Совместный проект перевели от разработки к готовности к производству за 18 месяцев. Для...
НовостиNextGO Epi привлекла €2 млн на развитие эпитаксиальных пластин из оксида галлия
NextGO Epi привлекла €2 млн посевного финансирования для расширения разработки и коммерческого выпуска эпитаксиальных пластин из оксида галлия . Берлинская компания выросла из Института выращивания кристаллов имени Лейбница и выпускает промышленные epiwafer-пластины диаметром до 4 дюймов.
Материал ориентирован на высоковольтную силовую...
НовостиTSMC обновила рекорд выручки на фоне запуска 2-нм техпроцесса N2
TSMC сообщила о выручке 442,68 млрд новых тайваньских долларов за июнь 2026 года — около 13,75 млрд долларов. Показатель вырос на 67,9% год к году и на 6,2% к маю; главным драйвером компания называет расширение инфраструктуры AI-дата-центров .
За первое полугодие выручка достигла 2,404 трлн новых тайваньских долларов, увеличившись на 35,6%...
НовостиImec и Diraq создали 8-кубитный массив на 300-мм CMOS-процессе
Imec и Diraq продемонстрировали когерентное управление и считывание 8-кубитного массива на базе кремниевых спиновых кубитов . Линейная структура изготовлена на промышленной 300-мм платформе по CMOS-совместимому процессу; результаты работы опубликованы в Nature Communications.
Новый эксперимент развивает показанный в 2025 году уровень отдельных и...
НовостиITF World 2026: чиплеты и кремниевая фотоника формируют системную архитектуру
ITF World 2026 обозначил переход полупроводниковой отрасли от оптимизации отдельных кристаллов к совместному проектированию целых вычислительных систем. В центре этой модели — гетерогенная интеграция , объединяющая вычислительные блоки, память, ввод-вывод и специализированные ускорители.
Чиплеты и advanced packaging позволяют собирать в одном...
НовостиV-Die и MOSAIC: вертикальная DRAM для охлаждения HBM-памяти
На симпозиуме VLSI 2026 исследователи из Южной Кореи и Японии представили архитектуры V-Die и MOSAIC . Обе концепции предлагают ставить кристаллы DRAM вертикально, «на ребро», чтобы увеличить плотность и пропускную способность памяти для AI-ускорителей без дальнейшего наращивания высоты классического HBM-стека.
В корейской схеме V-Die отказ от...
НовостиStackpole расширила серию токовых шунтов CSSU номиналами 0,5 и 20 мОм
Stackpole расширила серию токовых шунтов CSSU двумя номиналами — 0,5 и 20 мОм. Металлические измерительные резисторы сохраняют мощность 5 Вт в компактном SMD-корпусе 2512.
Номинал 0,5 мОм рассчитан на высокотоковые цепи, где важно снизить потери и нагрев на измерительном элементе. Вариант 20 мОм формирует большее измерительное напряжение и...
НовостиSK hynix и TetraMem создали мемристорный IMC-чип для edge AI
SK hynix , TetraMem и Университет Южной Калифорнии представили экспериментальный мемристорный IMC-чип для периферийных AI-устройств. Вычисления выполняются непосредственно в массивах памяти, что уменьшает обмен данными с внешней памятью и энергопотребление при инференсе компактных нейросетей.
Система-на-кристалле объединяет встроенный контроллер...
НовостиMeta готовит к выпуску 3-нм AI-ускоритель MTIA v3 Iris
Meta намерена в сентябре запустить производство третьего поколения собственных ускорителей — MTIA v3 Iris . Заказной чип разрабатывался совместно с Broadcom и будет выпускаться по 3-нм техпроцессу TSMC .
Новый AI-ускоритель рассчитан и на ресурсоёмкое обучение моделей, и на инференс с низкой задержкой. Meta планирует довести вычислительную...
