NextGO Epi привлекла €2 млн посевного финансирования для расширения разработки и коммерческого выпуска эпитаксиальных пластин из оксида галлия. Берлинская компания выросла из Института выращивания кристаллов имени Лейбница и выпускает промышленные epiwafer-пластины диаметром до 4 дюймов.
Материал ориентирован на высоковольтную силовую электронику. Электрически активный эпитаксиальный слой выращивается методом металлоорганической парофазной эпитаксии на подложке из оксида галлия; широкая запрещённая зона и высокая электрическая прочность делают такую платформу интересной для силовых ключей и преобразовательной техники.
Потенциальные области применения — зарядная инфраструктура электромобилей, инверторы возобновляемой энергетики, оборудование электросетей и источники питания дата-центров. Для этих систем важны компактные и эффективные высоковольтные преобразователи, но конкретный выигрыш зависит не только от материала, а и от схемотехники, корпуса, теплоотвода и режима эксплуатации.
У оксида галлия остаются инженерные ограничения: теплопроводность материала ниже, чем у зрелых платформ SiC и GaN, а надёжность приборов, корпусирование и масштабирование производства ещё требуют развития. Поэтому при выборе силовых полупроводников инженеру важно сопоставлять напряжение, ток, тепловой режим, тип корпуса и реальные квалификационные данные.
Для проектирования узлов питания и подбора компонентов смотрите раздел DC-DC преобразователи в каталоге ООО «Телеметрия».
