На симпозиуме VLSI 2026 исследователи из Южной Кореи и Японии представили архитектуры V-Die и MOSAIC. Обе концепции предлагают ставить кристаллы DRAM вертикально, «на ребро», чтобы увеличить плотность и пропускную способность памяти для AI-ускорителей без дальнейшего наращивания высоты классического HBM-стека.
В корейской схеме V-Die отказ от сквозных TSV в кристаллах освобождает площадь под ячейки памяти, а ввод-вывод переносится на нижнюю кромку каждого кристалла. Между вертикальными кристаллами предусмотрены микрофлюидные каналы: по опубликованным расчётам, такое охлаждение может заметно снизить температуру и повысить производительность подсистемы памяти.
Японский проект MOSAIC сочетает ортогональную компоновку DRAM с бесконтактным обменом через миниатюрные индуктивные катушки. Прототип интерфейса показал скорость до 4 Гбит/с на канал, а сама структура рассматривается как способ увеличить ёмкость памяти класса HBM4 рядом с GPU.
Для разработчиков вычислительной техники эти работы важны как поиск ответа на «стену памяти»: тепловые ограничения, межсоединения и advanced packaging всё чаще определяют реальную производительность AI-чипов. При этом V-Die и MOSAIC пока остаются исследовательскими концепциями, поэтому их технологичность, стоимость и серийная надёжность ещё требуют проверки.
Для подбора DRAM, Flash и других компонентов для вычислительных систем смотрите раздел «Микросхемы памяти» в каталоге ООО «Телеметрия».
