EPC (Efficient Power Conversion) представит на конференции Tech Taipei Power 2026 в Тайване линейку решений на базе eGaN — enhancement-mode gallium nitride power FETs и интегральных схем управления питанием для AI-инфраструктуры, промышленности, автоэлектроники и робототехники.
Фокус мероприятия — современные технологии силовой электроники и преобразования энергии. Для инженеров это удобная точка сверки по доступным GaN-ключам, корпусам и интегральным power-IC, которые уже применяют в DC-DC, серверных и бортовых приложениях.
На практике eGaN-транзисторы EPC помогают снижать потери переключения, повышать плотность мощности и упрощать тепловой дизайн по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET. Это важно для компактных DC-DC-преобразователей, зарядных узлов и силовых каскадов в embedded-системах.
B2B-закупщикам и разработчикам BOM стоит заранее оценить аналоги, драйверы затвора, требования к layout и температурным режимам. Направление GaN остаётся одним из ключевых для ускорения проектов силовой электроники в 2026 году.
Для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Драйверы MOSFET и IGBT в каталоге ООО «Телеметрия».
