Главная новостьSamtec сообщила о серийной доступности ВЧ-разъёмов 185-AL для 67 ГГц
Samtec сообщила о серийной доступности разъёмов 185-AL для высокочастотных плат. Это угловые 30-градусные соединители типоразмера 1,85 мм: такая геометрия помогает вывести коаксиальный кабель с платы без чрезмерного...
В фокусеVector Photonics разрабатывает корпусирование PCSEL-лазеров для оптических соединений
Vector Photonics начала программу AMPPS по разработке масштабируемого и термоэффективного корпусирования для PCSEL-лазеров — фотонно-кристаллических поверхностно-излучающих приборов. Цель работы — перевести...
В фокусеInfineon RIC70115: радиационно-стойкий GaN-драйвер для спутников
Infineon представила RIC70115 — радиационно-стойкий драйвер для силовых каскадов на GaN HEMT, рассчитанный на спутниковые и другие высоконадёжные космические системы. Компонент ориентирован на случаи, где одновременно...
В фокусеBosch получит до $225 млн по программе CHIPS для SiC-производства в Roseville
Bosch заключила окончательное соглашение с Министерством торговли США: компания может получить до $225 млн по программе CHIPS. Средства поддержат инвестиции объёмом до $2 млрд в переоснащение фабрики Roseville в...
В фокусеWeEn представила SiC-модули WMSC на 1200–2300 В для SST и зарядных систем
WeEn Semiconductors представила семейство SiC-модулей WMSC для силовых систем с рабочим напряжением от 1200 до 2300 В. Новые решения ориентированы на твердотельные трансформаторы, зарядную инфраструктуру для...
НовостиAehr получила заказы на $8 млн на WLBI-тестирование SiC-приборов
Aehr Test Systems получила новые заказы на сумму свыше $8 млн для wafer-level burn-in — испытаний полупроводниковых приборов на уровне пластины. В фокусе поставок — решения для оценки надежности SiC-приборов ,...
НовостиEPC покажет eGaN-решения для силовой электроники на Tech Taipei Power 2026
EPC (Efficient Power Conversion) представит на конференции Tech Taipei Power 2026 в Тайване линейку решений на базе eGaN — enhancement-mode gallium nitride power FETs и интегральных схем управления питанием для...
НовостиUMC и SILITH начали серийные поставки кремний-фотонных микросхем
UMC и SILITH Technology объявили о первой серийной поставке фотонных интегральных схем с 12-дюймовой фабрики UMC в Сингапуре. Платформа кремниевой фотоники рассчитана на оптические межсоединения 1,6 Тбит/с для AI- и...
НовостиNextGO Epi привлекла €2 млн на развитие эпитаксиальных пластин из оксида галлия
NextGO Epi привлекла €2 млн посевного финансирования для расширения разработки и коммерческого выпуска эпитаксиальных пластин из оксида галлия . Берлинская компания выросла из Института выращивания кристаллов имени...
НовостиTSMC обновила рекорд выручки на фоне запуска 2-нм техпроцесса N2
TSMC сообщила о выручке 442,68 млрд новых тайваньских долларов за июнь 2026 года — около 13,75 млрд долларов. Показатель вырос на 67,9% год к году и на 6,2% к маю; главным драйвером компания называет расширение...
НовостиImec и Diraq создали 8-кубитный массив на 300-мм CMOS-процессе
Imec и Diraq продемонстрировали когерентное управление и считывание 8-кубитного массива на базе кремниевых спиновых кубитов . Линейная структура изготовлена на промышленной 300-мм платформе по CMOS-совместимому процессу;...
НовостиITF World 2026: чиплеты и кремниевая фотоника формируют системную архитектуру
ITF World 2026 обозначил переход полупроводниковой отрасли от оптимизации отдельных кристаллов к совместному проектированию целых вычислительных систем. В центре этой модели — гетерогенная интеграция , объединяющая...
НовостиV-Die и MOSAIC: вертикальная DRAM для охлаждения HBM-памяти
На симпозиуме VLSI 2026 исследователи из Южной Кореи и Японии представили архитектуры V-Die и MOSAIC . Обе концепции предлагают ставить кристаллы DRAM вертикально, «на ребро», чтобы увеличить плотность и пропускную...
