Главная новостьIQE и Quintessent: контракт на эпитаксию для квантово-точечных лазеров выходит на стадию клиентских образцов
IQE (Кардифф, Великобритания) и Quintessent (Санта-Барбара, США) подписали контракт на поставку эпитаксиальных структур для квантово-точечных лазеров (QD-лазеров). Технология Quintessent — гетерогенная интеграция...
В фокусеPress-fit: надёжные бессвинцовые межсоединения PCB набирают отрасли
Технология press-fit , десятилетиями применявшаяся в телеком-инфраструктуре, расширяет присутствие в новых отраслях: промышленной автоматизации, энергетике, робототехнике и бортовой электронике. Вместо пайки упругий вывод...
В фокусеATEK MIDAS покажет новые MMIC и заказные RFIC на EuMW 2026
ATEK MIDAS представит на выставке EuMW 2026 в Лондоне новые компоненты и услуги разработки для СВЧ-трактов. Компания специализируется на аналоговых и mixed-signal ASIC, кремниевых RFIC, а также монолитных...
В фокусеInfineon и Skeleton разработают питание для ИИ-ЦОД на CoolSiC и CoolGaN
Infineon и Skeleton Technologies подписали меморандум о совместной разработке энергоэффективной и отказоустойчивой архитектуры питания для ИИ-дата-центров. Партнёры намерены охватить всю цепочку преобразования...
В фокусеNorthrop Grumman создаст RF-чипы с алмазным теплоотводом для DARPA
Northrop Grumman получила контракт DARPA на 7 млн долларов для второй фазы программы THREADS . Проект предусматривает интеграцию алмазного теплоотвода непосредственно в высокомощные радиочастотные схемы ( radio...
НовостиNavitas и GlobalFoundries запускают выпуск Gen 5 GaNFast на 200-мм линии в США
Navitas Semiconductor и GlobalFoundries запускают первые поставки силовых компонентов Gen 5 GaNFast, изготовленных в США. Производство перенесено на 200-мм линию GaN-on-Si в Берлингтоне, штат Вермонт; первые пластины...
НовостиNexperia и Aurobay изучат GaN и SiC для электрифицированных силовых установок
Nexperia и Aurobay Technologies намерены оценить стратегическое сотрудничество по силовым полупроводникам для электрифицированных и гибридных автомобилей. В проекте объединят компетенции Nexperia в GaN и SiC с опытом...
НовостиEPFL создала GaN-on-Si транзистор iPSJ с блокировкой свыше 3,4 кВ
Исследователи POWERlab при EPFL представили GaN-on-Si транзистор iPSJ — прибор с внутренним поляризационным суперпереходом. Разработка, опубликованная в Nature Electronics, нацелена на высоковольтную силовую электронику,...
НовостиSumitomo Chemical начала выпуск 4-дюймовых InP-эпипластин
Sumitomo Chemical запустила серийное производство и продажи 4-дюймовых InP-эпипластин на площадке Ibaraki Works в Хитати. Речь идёт о пластинах на основе фосфида индия для оптических полупроводников; компания называет...
НовостиsensiBel SBM140B: оптический MEMS-микрофон с динамическим диапазоном 136 дБ
sensiBel SBM140B — новый оптический MEMS-микрофон с отношением сигнал/шум 84 дБА и порогом акустической перегрузки 146 дБ SPL. Сочетание этих параметров даёт динамический диапазон 136 дБ , а 24-битный цифровой выход...
НовостиКитайская отрасль микросхем ускорила рост в первом полугодии 2026 года
Китайские публичные компании сектора интегральных схем, успевшие раскрыть квартальные результаты, завершили первое полугодие 2026 года с заметным улучшением показателей. Совокупная выручка выборки выросла на 12,8% год к...
НовостиAdvantech представила edge AI-платформы на Intel Core Ultra Series 3
Advantech перенесла Intel Core Ultra Series 3 в четыре промышленных формата: 3,5-дюймовую плату MIO-5381, Mini-ITX-плату AIMB-234, модуль SOM-5886 и компактный edge-компьютер ARK-2252. Линейка рассчитана на локальную...
НовостиMicrochip представила радиационно-стойкие атомные часы Space CSAC-SA65
Microchip Technology расширила линейку прецизионной синхронизации и представила Space CSAC-SA65 — радиационно-стойкие атомные часы масштаба микросхемы для низкоорбитальных спутников. Модуль должен сохранять стабильную...
