Главная новостьTSMC обновила рекорд выручки на фоне запуска 2-нм техпроцесса N2
TSMC сообщила о выручке 442,68 млрд новых тайваньских долларов за июнь 2026 года — около 13,75 млрд долларов. Показатель вырос на 67,9% год к году и на 6,2% к маю; главным драйвером компания называет расширение инфраструктуры AI-дата-центров .
За первое полугодие выручка достигла 2,404 трлн новых тайваньских долларов, увеличившись на 35,6%...
В фокусеImec и Diraq создали 8-кубитный массив на 300-мм CMOS-процессе
Imec и Diraq продемонстрировали когерентное управление и считывание 8-кубитного массива на базе кремниевых спиновых кубитов . Линейная структура изготовлена на промышленной 300-мм платформе по CMOS-совместимому процессу; результаты работы опубликованы в Nature Communications.
Новый эксперимент развивает показанный в 2025 году уровень отдельных и...
В фокусеITF World 2026: чиплеты и кремниевая фотоника формируют системную архитектуру
ITF World 2026 обозначил переход полупроводниковой отрасли от оптимизации отдельных кристаллов к совместному проектированию целых вычислительных систем. В центре этой модели — гетерогенная интеграция , объединяющая вычислительные блоки, память, ввод-вывод и специализированные ускорители.
Чиплеты и advanced packaging позволяют собирать в одном...
В фокусеV-Die и MOSAIC: вертикальная DRAM для охлаждения HBM-памяти
На симпозиуме VLSI 2026 исследователи из Южной Кореи и Японии представили архитектуры V-Die и MOSAIC . Обе концепции предлагают ставить кристаллы DRAM вертикально, «на ребро», чтобы увеличить плотность и пропускную способность памяти для AI-ускорителей без дальнейшего наращивания высоты классического HBM-стека.
В корейской схеме V-Die отказ от...
В фокусеStackpole расширила серию токовых шунтов CSSU номиналами 0,5 и 20 мОм
Stackpole расширила серию токовых шунтов CSSU двумя номиналами — 0,5 и 20 мОм. Металлические измерительные резисторы сохраняют мощность 5 Вт в компактном SMD-корпусе 2512.
Номинал 0,5 мОм рассчитан на высокотоковые цепи, где важно снизить потери и нагрев на измерительном элементе. Вариант 20 мОм формирует большее измерительное напряжение и...
НовостиSK hynix и TetraMem создали мемристорный IMC-чип для edge AI
SK hynix , TetraMem и Университет Южной Калифорнии представили экспериментальный мемристорный IMC-чип для периферийных AI-устройств. Вычисления выполняются непосредственно в массивах памяти, что уменьшает обмен данными с внешней памятью и энергопотребление при инференсе компактных нейросетей.
Система-на-кристалле объединяет встроенный контроллер...
НовостиMeta готовит к выпуску 3-нм AI-ускоритель MTIA v3 Iris
Meta намерена в сентябре запустить производство третьего поколения собственных ускорителей — MTIA v3 Iris . Заказной чип разрабатывался совместно с Broadcom и будет выпускаться по 3-нм техпроцессу TSMC .
Новый AI-ускоритель рассчитан и на ресурсоёмкое обучение моделей, и на инференс с низкой задержкой. Meta планирует довести вычислительную...
НовостиPanasonic представила PIR-датчики PaPIRs+ с удвоенной чувствительностью
Panasonic расширила линейку PIR-датчиков движения моделью PaPIRs+ для автоматизации зданий и интеллектуальной инфраструктуры. В основе обновления — переработанные пироэлектрические элементы: увеличенные и оптимизированные чувствительные структуры лучше поглощают инфракрасное излучение и обеспечивают до двух раз большую чувствительность по...
НовостиNavitas оспорила претензии Wolfspeed по патентам на силовые полупроводники
GaN и SiC снова оказались в центре отраслевого спора: Navitas заявила, что не согласна с претензиями Wolfspeed о нарушении патентов и намерена защищать свои продукты в суде. Для рынка силовых полупроводников это важно не только как юридическая новость, но и как сигнал о высокой ценности технологий wide-bandgap .
Компания подчёркивает, что...
НовостиSEMI и TechSearch обновили карту рынка advanced packaging
Advanced packaging становится отдельным фактором доступности микросхем: SEMI и TechSearch International расширили базу Worldwide Assembly & Test Facility Database до более чем 820 предприятий финальной сборки и тестирования полупроводников. Для инженеров и закупщиков это важно не только как отраслевой обзор, но и как индикатор будущей загрузки...
НовостиAOS представила 80-вольтовый MOSFET AOPL66801 в корпусе DFN6x5 AmpStack
AOS представила AOPL66801 — 80-вольтовый power-conversion MOSFET в корпусе DFN6x5 AmpStack для компактных полумостовых силовых каскадов.
Для разработчиков силовой электроники такой формат интересен сочетанием низкого сопротивления открытого канала, коротких токовых петель и высокой плотности монтажа в DC-DC преобразователях.
Корпус DFN6x5...
НовостиInfineon поставит CoolSiC MOSFET 1200 В и драйверы затвора для ADVANTICS
Infineon поставит 1200-вольтовые CoolSiC MOSFET и двухканальные драйверы затвора EiceDRIVER 2EDB9259Y для новой линейки жидкостно-охлаждаемых преобразователей ADVANTICS.
Для рынка силовой электроники это важно из-за роста мегаваттных зарядных систем, промышленных накопителей энергии и DC-микросетей для дата-центров, где критичны КПД и плотность...
НовостиNexperia выпустила 1200-вольтовые SiC MOSFET в корпусе QDPAK
Nexperia расширила линейку силовой электроники: компания представила 1200-вольтовые SiC MOSFET в корпусе QDPAK для проектов с высокой плотностью мощности.
Корпус с верхним охлаждением рассчитан на более жёсткие тепловые режимы, где важны компактная компоновка, стабильный отвод тепла и предсказуемая работа в силовых узлах.
Для разработчиков...
