Главная новостьSony и TSMC вложат $4,7 млрд в производство датчиков изображения
Sony Semiconductor Solutions и TSMC подписали окончательное соглашение о создании в японской префектуре Кумамото совместной компании Advanced Vision Semiconductor Manufacturing. Предприятие станет центром разработки и серийного выпуска датчиков изображения для смартфонов; начало массового производства намечено на 2029 год.
Sony планирует...
В фокусеOpenLight и Tower расширили PH18DA для фотонных интегральных схем
OpenLight и Tower Semiconductor добавили фотонный PDK OpenLight для платформы PH18DA в инструменты Cadence. Разработчики смогут проектировать фотонные интегральные схемы в привычной среде EDA и быстрее переводить проекты от схемы к производству.
Техпроцесс PH18DA InP-on-silicon объединяет на одном монолитном PIC активные компоненты — лазеры,...
В фокусеSoctera привлекла $4 млн на термооптимизированные GaN СВЧ-усилители
Soctera закрыла посевной раунд на $4 млн для разработки термооптимизированных III-нитридных СВЧ-усилителей миллиметрового диапазона. Раунд поддержали Anorak Ventures и Multiball Capital при участии 9Yards Capital, Mana Ventures и Red Bear Ventures.
Компания решает одну из ключевых проблем мощных ВЧ-трактов — перегрев, который снижает дальность...
В фокусеTDK добавила осевые электролитические конденсаторы B43693/B43793 на 125 В
TDK расширила линейку алюминиевых электролитических конденсаторов: серии B43693/B43793 получили исполнения на 125 В, а семейства B41687/B41787 — обновлённые версии на 63 В. Осевые выводы и выводы типа soldering star рассчитаны на компактные DC-link батареи в тяговой и промышленной электронике.
Для 125-вольтовых B43693/B43793 заявлены ёмкости от...
В фокусеNavitas подала иск к Renesas по четырём патентам на SuperGaN
Navitas Semiconductor подала иск к Renesas Electronics в федеральный суд Восточного округа Техаса. По утверждению истца, основные линейки силовых GaN-компонентов Renesas, включая SuperGaN, нарушают четыре патента; судебного решения по существу пока нет.
В заявлении перечислены патенты США № 9,929,079, 11,545,838, 11,770,010 и 11,862,996....
НовостиKeysight расширила PDK GlobalFoundries для проектирования кремниевой фотоники
Keysight расширила поддержку технологического комплекта PDK GlobalFoundries в ADS Photonic Designer. Инженеры могут проектировать фотонные интегральные схемы на платформе кремниевой фотоники GF и до изготовления проверять поведение полного оптического канала.
Новый маршрут объединяет разработку PIC и системное EOE-моделирование в одной...
НовостиSK hynix и Sandisk утвердили первый стандарт HBF: флеш-память до 3 ТБ/с для AI-инфраструктуры
SK hynix и Sandisk представили первую спецификацию High Bandwidth Flash (HBF) — нового класса флеш-памяти для AI-инфраструктуры . Стандарт анонсирован на конференции FMS 2026 в Санта-Кларе спустя полгода после создания отраслевого консорциума HBF, куда вошли ведущие производители памяти и процессорных платформ.
HBF занимает промежуточное...
НовостиАналоговый или цифровой RF-over-Fibre: компромиссы оптоволоконной передачи ВЧ-сигналов
Инженерное издание Electronics Weekly опубликовало разбор двух архитектур RF-over-Fibre (RFoF) — технологии оптоволоконной передачи ВЧ-сигналов , которая всё активнее применяется в спутниковых линиях NTN, радиолокации и системах мониторинга спектра. Перенос радиосигнала в оптическую область позволяет передавать широкополосные высокочастотные...
НовостиSTMicroelectronics представляет ST54M: первый мобильный защищённый чип с пост-квантовой криптографией
STMicroelectronics представила ST54M — первый защищённый чип для мобильных устройств, который объединяет на одном кристалле аппаратный ускоритель пост-квантовой криптографии (PQC), контроллер NFC, secure element и функциональность eSIM. Платформа рассчитана на новое поколение подключённых сервисов: отраслевые стандарты защиты, к которым...
НовостиNokia выкупает фабрику NXP в Чандлере под InP-фотонику
Nokia подписала окончательное соглашение о покупке фабричного кампуса NXP в городе Чандлер (штат Аризона). Площадка будет конвертирована под выпуск оптических компонентов на основе фосфида индия (InP) — ключевого материала для высокоскоростных оптических линий дата-центров. До закрытия сделки, ожидаемого в первом квартале 2029 года, Nokia с...
НовостиAMD покупает Taalas: AI-чипы с весами модели, зашитыми в кремний
AMD подписала окончательное соглашение о покупке канадского стартапа Taalas — разработчика чипов AI-инференса , в которых веса нейросетевой модели буквально зашиты в кремний на уровне металлизации. Команда Taalas во главе с Любисой Байичем, сооснователем Tenstorrent и бывшим руководителем AMD, войдёт в AI-подразделение компании под управлением...
НовостиNEO.AI: X-SRAM и 3D X-DRAM для памяти AI-процессоров
NEO Semiconductor представила платформу NEO.AI , которая объединяет две архитектуры памяти для AI-процессоров: X-SRAM для увеличения встроенного кэша и 3D X-DRAM для наращивания ёмкости внешней высокоскоростной памяти.
По заявлению разработчика, X-SRAM способна обеспечить до пяти раз большую плотность по сравнению с обычной SRAM при сохранении...
НовостиMolex MiniMix: питание 15 А и Ethernet 1 Гбит/с для гуманоидных роботов
Molex MiniMix — новое семейство гибридных силовых и сигнальных соединителей для гуманоидных роботов, автономных мобильных платформ и промышленной автоматизации. В одном интерфейсе совмещены силовые контакты с током до 15 А и канал Ethernet 1000BASE-T1 со скоростью 1 Гбит/с.
Разъём рассчитан на тесные многокоординатные узлы — запястья, локти,...
