NEO Semiconductor представила платформу NEO.AI, которая объединяет две архитектуры памяти для AI-процессоров: X-SRAM для увеличения встроенного кэша и 3D X-DRAM для наращивания ёмкости внешней высокоскоростной памяти.
По заявлению разработчика, X-SRAM способна обеспечить до пяти раз большую плотность по сравнению с обычной SRAM при сохранении производительности этого класса. Архитектура рассчитана на современные nanosheet CMOS-техпроцессы и в перспективе — на монолитную 3D-интеграцию; подробные сравнения энергопотребления и площади пока не опубликованы.
Вторая часть платформы, 3D X-DRAM, переносит приёмы многослойного производства 3D NAND в DRAM. NEO заявляет потенциал до десятикратного роста ёмкости и более крупных стеков HBM; подтверждён прототип архитектуры, но серийные изделия ещё не анонсированы.
Платформу показали на FMS 2026 как ответ на «стену памяти» в AI-системах: ограниченный объём кэша внутри процессора и недостаточную ёмкость внешней HBM. Для инженерной оценки важны совместимость с фабричными процессами, тепловой режим многослойных кристаллов, корпусирование и выход годных.
Если заявленные характеристики подтвердятся в кремнии, SRAM и HBM смогут сократить перемещения данных и повысить загрузку вычислительных блоков AI-ускорителей. Для подбора доступной компонентной базы смотрите раздел Микросхемы памяти в каталоге ООО «Телеметрия».
