Soctera закрыла посевной раунд на $4 млн для разработки термооптимизированных III-нитридных СВЧ-усилителей миллиметрового диапазона. Раунд поддержали Anorak Ventures и Multiball Capital при участии 9Yards Capital, Mana Ventures и Red Bear Ventures.
Компания решает одну из ключевых проблем мощных ВЧ-трактов — перегрев, который снижает дальность и искажает сигнал. По данным Soctera, совместная электрическая и тепловая оптимизация полупроводникового стека позволяет в 20 раз сократить объём GaN в приборе и вдвое уменьшить тепловое сопротивление.
Средства планируется направить на превращение материаловедческого решения в квалифицированные GaN-усилители мощности, расширение команды и масштабирование производства. Целевые применения включают радиолокацию, спутниковую связь и другие системы, где важны высокая выходная мощность, стабильность сигнала и эффективный теплоотвод.
Soctera выросла из исследовательской группы Jena-Xing Корнеллского университета, работающей с широкозонными полупроводниками. До посевного раунда проект получил более $4,2 млн грантового финансирования от NSF, армии и ВВС США, а также программы CHIPS Act — это подтверждает интерес к GaN HEMT для следующего поколения ВЧ-аппаратуры.
Для подбора компонентов по частоте, усилению, выходной мощности и тепловому режиму смотрите раздел ВЧ усилители в каталоге ООО «Телеметрия».
