Главная новостьАналоговый front-end MAX86178 упрощает непрерывный мониторинг здоровья в носимых устройствах
Носимая электроника стремительно переходит от подсчёта шагов к непрерывному мониторингу здоровья, и именно аналоговые микросхемы становятся узким местом таких систем. На брифинге Analog Devices India инженеры компании...
В фокусеFiltronic получила заказ SpaceX на $68,1 млн: GaN-усилители Cerus E-band для спутниковых каналов
Британский разработчик ВЧ-компонентов Filtronic объявил о повторном заказе от компании SpaceX на сумму $68,1 млн (£51,3 млн) — крупнейшем в своей истории. Речь идёт о поставках твердотельных усилителей мощности Cerus...
В фокусеВеликобритания запустила Semiconductor Catapult: суверенные полупроводниковые мощности для AI и обороны
Великобритания запустила Semiconductor Catapult — новый технологический центр, который должен укрепить национальные цепочки поставок полупроводников и ускорить вывод микросхем от концепции к серийному производству....
В фокусеRenesas выпустила первый 650-В GaN-транзистор с двусторонним охлаждением для ИИ-дата-центров мегаваттного масштаба
Renesas Electronics представила, как заявляется, первый в отрасли 650-вольтовый GaN-транзистор с двусторонним охлаждением — TP65H020G4PLSGBD. Прибор в сверхкомпактном корпусе DSC PQFN 8×8 мм обеспечивает сопротивление...
В фокусеWise Integration и Navitas объединяют цифровой контур и широкозонные ключи для энергопитания ИИ-платформ
Wise Integration и Navitas Semiconductor договорились о совместной разработке систем энергопреобразования для высокопроизводительных вычислений. Партнёры соединяют фирменный цифровой контур управления Wise Integration с...
НовостиНовости микроэлектроники: Emergence AI выводит нейроформальный ИИ на производства fabless-компаний
Emergence AI переводит свою нейроформальную AI -платформу из пилотов в промышленную эксплуатацию у fabless-разработчиков микросхем. По словам сооснователя и исполнительного председателя компании Сатьи Нитты (Satya...
НовостиНовости микроэлектроники: Infineon поставит SiC-транзисторы для твердотельного трансформатора Eaton в дата-центрах 800 В
SiC-транзисторы Infineon Technologies выберет Eaton для нового поколения твердотельного трансформатора MVSST 2.0 — платформы среднего напряжения, которая соединяет дата-центры с энергосетью и раздаёт питание по схеме...
НовостиНовости микроэлектроники: в Арканзасе создан институт электроники ARIES — SiC, GaN, фотоника и РФ
В США заработал Arkansas Research Institute for Electronics Systems (ARIES) — новый исследовательский институт, созданный на базе Университета Арканзаса. Его задача — разработка и вывод в производство силовой электроники...
НовостиНовости микроэлектроники: VIS и NXP открыли фабрику VSMC в Сингапуре
Компании Vanguard International Semiconductor (VIS) и NXP Semiconductors 28 сентября торжественно открыли первую 300-мм фабрику совместного предприятия VSMC (VisionPower Semiconductor Manufacturing Company) в...
НовостиНовости микроэлектроники: рынок кремниевой фотоники и InP-фотонных интегральных схем вырастет до 48 млрд долларов к 2036 году
Аналитики прогнозируют, что рынок кремниевой фотоники и InP-фотонных интегральных схем вырастет до 48 млрд долларов к 2036 году. Технология фотонных интегральных схем (PIC) переносит приёмы полупроводникового...
НовостиНовости микроэлектроники: Navitas выполняет программу ALATTIS для 10-кВ SiC-полупроводников Армии США
Navitas — разработчик GaN- и SiC-решений — победила в конкурентном отборе Армии США: компании поручена программа ALATTIS (Accelerated, Large-Area, 10kV SiC IGBT) для создания нового поколения 10кВ карбид-кремниевых...
НовостиWolfspeed вывела Premium 200-мм SiC-подложку с менее чем 3 микротрубками
Wolfspeed начала коммерческие поставки подложки Premium диаметром 200 мм из карбида кремния n-типа. Новая SiC-подложка рассчитана на производителей силовых приборов, которым нужны более крупные кристаллы, высокие...
НовостиFraunhofer IAF создал MMIC-усилитель с полосой 4–420 ГГц
Исследователи Fraunhofer IAF разработали распределённый MMIC усилитель на фирменной 20-нм технологии InGaAs-on-Si HEMT. Микросхема обеспечивает усиление 11 ± 2 дБ в исключительно широкой полосе от 4 до 420 ГГц.
До...
