Imec расширяет 300-мм платформу RF silicon interposer для гетерогенной интеграции: к кремниевой подложке добавлены высокоплотные MIMCAP-конденсаторы, моделирование пассивных компонентов и лазерное соединение III-V chiplets. Для разработчиков СВЧ- и sub-THz-узлов это важный шаг к более плотной компоновке радиочастотных трактов и скоростных интерфейсов.
Новая связка MIMCAP и пассивных RF-структур помогает размещать согласующие цепи, фильтры и развязку ближе к активным кристаллам. Такой подход снижает паразитные эффекты, упрощает трассировку и делает advanced packaging более предсказуемым на этапе проектирования.
Лазерное bonding-соединение III-V chiplets с Si-CMOS-интерпозером особенно актуально для беспроводных систем миллиметрового диапазона, фотоники и дата-центровых каналов. В B2B-закупках это означает растущий спрос на проверенные chiplet-решения, подложки, тестовые образцы и сопутствующие электронные компоненты.
Для российских инженерных команд новость показывает, что микроэлектроника движется от отдельных микросхем к модульным платформам, где пассивы, интерпозер и корпусирование становятся частью одной спецификации. При подборе аналогов важно заранее учитывать тепловой режим, RF-параметры, доступность корпусов и требования к квалификации поставщика.
Для подбора компонентной базы и микросхем под проект смотрите раздел Микропроцессорные схемы в каталоге ООО «Телеметрия».
