ROHM представила корпус TSC3PAK с верхним теплоотводом для SiC MOSFET, ориентированный на высоковольтные преобразователи в электромобилях, промышленной автоматике и энергетических системах. По данным компании, формат 14,00 × 18,58 × 3,50 мм рассчитан на автоматизированный поверхностный монтаж и должен приблизить тепловые характеристики SMD-решений к привычным выводным корпусам уровня TO-247-4L.
Для разработчиков силовых узлов это важный сигнал по направлению силовая электроника: рост плотности мощности всё чаще требует не только нового кристалла, но и продуманного корпуса, теплового интерфейса и компоновки печатной платы. Верхнее охлаждение помогает быстрее отводить тепло от ключей и снижать ограничения при проектировании инверторов, DC-DC каскадов и зарядных модулей.
Закупщикам и инженерам стоит заранее учитывать совместимость таких MOSFET-корпусов с технологией монтажа, доступность альтернатив и требования к радиаторам, прижимным пластинам и изоляционным материалам. В проектах с длительным жизненным циклом это влияет на BOM, квалификацию поставщиков и риски замены компонентов.
Для подбора компонентной базы смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия»: он полезен при поиске силовых транзисторов, драйверов и сопутствующих решений для промышленных плат.
