Imec расширила платформу RF silicon interposer для интеграции III-V чиплетов с Si-CMOS на 300-мм технологической базе. Подход нацелен на более плотную компоновку высокочастотных трактов, где чиплеты, пассивные элементы и кремниевая логика должны работать как единый модуль.
Для рынка микроэлектроники это важный сигнал: mmWave, sub-THz связь и высокоскоростная обработка сигналов всё чаще требуют не отдельных микросхем, а проверенной межсоединительной платформы. Такая интеграция помогает сократить паразитные потери, улучшить согласование и быстрее выводить RF-сборки в опытное производство.
В B2B-проектах тема связана не только с исследовательскими линиями, но и с доступностью полупроводников, подложек, корпусов и измерительной оснастки. Инженерным командам стоит заранее учитывать требования к температурным режимам, тестированию, поставкам III-V компонентов и совместимости с существующими BOM.
Для российских разработчиков направление интересно как ориентир по развитию RF-компонентов, AI-инфраструктуры и радиотехнических модулей: чем сложнее становится система на плате, тем выше роль проверенных чиплетных интерфейсов и качественной компонентной базы.
Для подбора высокочастотных микросхем и смежной компонентной базы смотрите раздел ВЧ-усилители в каталоге ООО «Телеметрия».
