Валюта:RUB
RUBUSDEURCNY
Язык:USRU
+7 929 433 4445 B2B Заявки на email

telemetrya@yandex.ru

0
Смотрели
Войти
0
Избранное
Товар добавлен в список избранных
0
Сравнение
Товар добавлен в список сравнения
0
Корзина
Товар добавлен в корзину!

Электронные компоненты Транзисторы в магазине ООО «Телеметрия»

Все фильтры
Цена
Структура
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт

Транзисторы - 45522 

Дата добавления

Быстрый просмотр
    Цена по запросу
    FS200R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт,
    вес, г: 0.31
    Артикул: FS200R12PT4BOSA1
    В корзину
    
    Быстрый просмотр
    FP75R12KT4B15BOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
      39 980 ₽
      FP75R12KT4B15BOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
      moisture sensitivity level (msl): Not Applicable
      mounting type: Chassis Mount
      operating temperature: -40В°C ~ 150В°C
      Артикул: FP75R12KT4B15BOSA1
      В корзину
      
      Быстрый просмотр
        29 380 ₽
        FF300R07ME4B11BPSA1
        В корзину
        
        Быстрый просмотр
          44 270 ₽
          2ED300C17STROHSBPSA1
          moisture sensitivity level (msl): 1 (Unlimited)
          mounting type: Through Hole
          operating temperature: -40В°C ~ 85В°C
          В корзину
          
          Быстрый просмотр
            1 070 ₽
            STGD20N45LZAG
            В корзину
            
            Быстрый просмотр
              10 370 ₽
              FP15R12W1T4_B3
              вес, г: 24
              В корзину
              
              Быстрый просмотр
                840 ₽
                Транзистор FGPF4633 \IGBT N\30\TO-220F\
                Артикул: транз FGPF4633 \IGBT N\30\TO-220F\
                В корзину
                
                Быстрый просмотр
                  27 490 ₽
                  FS100R12KE3BOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 140A 480mW 36-Pin ECONO3-4 Tray
                  Артикул: FS100R12KE3BOSA1
                  В корзину
                  
                  Быстрый просмотр
                    30 770 ₽
                    GD600HFX170C6S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.069 кА, 1.85 В, 4.166 кВт, 150 °C
                    вес, г: 300
                    Артикул: GD600HFX170C6S
                    В корзину
                    
                    Быстрый просмотр
                    APT50GN120B2G
                      2 810 ₽
                      APT50GN120B2G
                      moisture sensitivity level (msl): 1 (Unlimited)
                      mounting type: Through Hole
                      operating temperature: -55В°C ~ 150В°C (TJ)
                      В корзину
                      
                      Быстрый просмотр
                      FGA3060ADF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
                        280 ₽
                        FGA3060ADF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
                        вид монтажа: Through Hole
                        категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
                        максимальная рабочая температура: + 175 C
                        Артикул: FGA3060ADF
                        В корзину
                        
                        Быстрый просмотр
                        VS-ETF150Y65N
                          13 620 ₽
                          VS-ETF150Y65N
                          moisture sensitivity level (msl): 1 (Unlimited)
                          operating temperature: 175В°C (TJ)
                          package: Box
                          В корзину
                          
                          Быстрый просмотр
                            1 270 ₽
                            Транзистор 7N60A4DS \IGBT N\125\D2PAK\
                            Артикул: S транз 7N60A4DS \IGBT N\125\D2PAK\
                            В корзину
                            
                            Быстрый просмотр
                              11 880 ₽
                              FP15R12W1T4PB11BPSA1
                              В корзину
                              
                              Быстрый просмотр
                              AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
                                1 050 ₽
                                AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
                                вес, г: 1
                                вид монтажа: Through Hole
                                категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
                                Артикул: AIGW50N65F5XKSA1
                                В корзину
                                
                                Быстрый просмотр
                                STGD7NC60HT4
                                  600 ₽
                                  STGD7NC60HT4
                                  вид монтажа: SMD/SMT
                                  категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
                                  максимальная рабочая температура: + 150 C
                                  В корзину
                                  
                                  Быстрый просмотр
                                    200 ₽
                                    IGW20N60H3FKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
                                    Артикул: IGW20N60H3FKSA1
                                    В корзину
                                    
                                    Быстрый просмотр
                                    IRG7PH37K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 15А TO-247
                                      180 ₽
                                      IRG7PH37K10DPBF, Транзистор IGBT 1200В 15А TO-247
                                      максимальная рассеиваемая мощность, вт: 216
                                      рабочая температура (tj), °c: -40…+150
                                      Артикул: IRG7PH37K10DPBF
                                      В корзину
                                      
                                      Быстрый просмотр
                                        2 270 ₽
                                        FGH75T65UPD
                                        В корзину
                                        
                                        Быстрый просмотр
                                          28 180 ₽
                                          MPIM600M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 600 А, 1.7 В, 3 кВт, 150 °C, Module
                                          вес, кг: 1.7
                                          Артикул: MPIM600M112TG5
                                          В корзину
                                          
                                          Быстрый просмотр
                                            510 ₽
                                            STGB18N40LZT4
                                            вес, г: 1.93
                                            В корзину
                                            
                                            Быстрый просмотр
                                            FS200R12KT4RBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray
                                              37 320 ₽
                                              FS200R12KT4RBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray
                                              moisture sensitivity level (msl): 1 (Unlimited)
                                              mounting type: Chassis Mount
                                              operating temperature: -40В°C ~ 150В°C (TJ)
                                              Артикул: FS200R12KT4RBOSA1
                                              В корзину
                                              
                                              Быстрый просмотр
                                                3 100 ₽
                                                IMBG120R140M1HXTMA1
                                                категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
                                                подкатегория: IGBTs
                                                размер фабричной упаковки: 1000
                                                В корзину
                                                
                                                Быстрый просмотр
                                                IXBF40N160, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,6кВ, 16А, 250Вт
                                                  3 850 ₽
                                                  IXBF40N160, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,6кВ, 16А, 250Вт
                                                  вес, г: 8
                                                  Артикул: IXBF40N160
                                                  В корзину
                                                  
                                                  Быстрый просмотр
                                                  FP35R12U1T4
                                                    26 090 ₽
                                                    FP35R12U1T4
                                                    вид монтажа: Chassis Mount
                                                    категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
                                                    максимальная рабочая температура: + 150 C
                                                    В корзину
                                                    
                                                    Быстрый просмотр
                                                      10 160 ₽
                                                      FP15R06W1E3_B11
                                                      В корзину
                                                      
                                                      Быстрый просмотр
                                                      FGH60N60SMD-F085, БТИЗ транзистор, 120 А, 1.8 В, 600 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
                                                        630 ₽
                                                        FGH60N60SMD-F085, БТИЗ транзистор, 120 А, 1.8 В, 600 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
                                                        вес, г: 2
                                                        вид монтажа: Through Hole
                                                        категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
                                                        Артикул: FGH60N60SMD-F085
                                                        В корзину
                                                        
                                                        Быстрый просмотр
                                                        IXXX200N65B4
                                                          6 970 ₽
                                                          IXXX200N65B4
                                                          вес, г: 6.6
                                                          вид монтажа: Through Hole
                                                          категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
                                                          В корзину
                                                          
                                                          Быстрый просмотр
                                                          IXYA20N120C4HV
                                                          2 850 ₽
                                                          IXYA20N120C4HV
                                                          вес, г: 2.5
                                                          moisture sensitivity level (msl): 1 (Unlimited)
                                                          mounting type: Surface Mount
                                                          В корзину
                                                          
                                                          Быстрый просмотр
                                                          IRGP30B120KD-EP, Транзистор IGBT 1200В 30А 5-40кГц [TO-247AD]
                                                            690 ₽
                                                            IRGP30B120KD-EP, Транзистор IGBT 1200В 30А 5-40кГц [TO-247AD]
                                                            вес, г: 7.5
                                                            Структура: n-канал+диод
                                                            Артикул: IRGP30B120KD-EP
                                                            В корзину
                                                            Показывать по
                                                            Loading...
                                                            Меню
                                                            0Корзина
                                                            Товар добавлен в корзину!
                                                            0Сравнение
                                                            Товар добавлен в список сравнения
                                                            0Избранное
                                                            Товар добавлен в список избранных
                                                            Фильтр
                                                            Профиль