FGA3060ADF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGA3060ADF
FGA3060ADF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V proliferation PFC home application
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PN
серияFGA3060ADF
pd - рассеивание мощности176 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c60 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.60 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль