APT50GN120B2G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT50GN120B2G
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
2 810
+
Бонус: 56.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 810
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Сквозное отверстие
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3 Variant
rohs statusRoHS Compliant
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
base product numberAPT50GN120 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
current - collector (ic) (max)134A
current - collector pulsed (icm)150A
gate charge315nC
igbt typeNPT, Trench Field Stop
power - max543W
switching energy4495ВµJ (off)
td (on/off) @ 25в°c28ns/320ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
test condition800V, 50A, 2.2Ohm, 15V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль