FP35R12U1T4

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C

Все характеристики

26 090 ₽

– +

Бонус: 521.8 !

Бонусная программа

Итого: 26 090 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V

Основные
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
упаковка / блок	SmartPIM1
pd - рассеивание мощности	250 W
другие названия товара №	FP35R12U1T4BPSA1 SP000663678
Вес и габариты
конфигурация	PIM 3-Phase Input Rectifier
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	54 A
ток утечки затвор-эмиттер	400 nA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]

Быстрый просмотр

R6504ENJTL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 4 А, 0.955 Ом, TO-263S, Surface Mount

Быстрый просмотр

FP35R12U1T4

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все