Name: AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
SKU: AIGW50N65F5XKSA1

AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	1
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

1 050 ₽

– +

Бонус: 21 !

Бонусная программа

Итого: 1 050 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES

Основные
вес, г	1
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	240
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	TRENCHSTOP 5 F5
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	270 W
другие названия товара №	AIGW50N65F5 SP001346882
Вес и габариты
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.66 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	80 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AIGW50N65F5XKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.66 В, 270 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)