IXYA20N120C4HV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IXYA20N120C4HV
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
2 850
+
Бонус: 57 !
Бонусная программа
Итого: 2 850
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 4TH GENERATION GENX4
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263HV-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияTrench - 650V - 1200V GenX40
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-263HV
коммерческое обозначениеXPT
seriesGenX4в„ў, XPTв„ў ->
pd - рассеивание мощности375 W
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.1 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c68 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.120 A
current - collector (ic) (max)68A
current - collector pulsed (icm)120A
gate charge44nC
igbt typePT
power - max375W
switching energy4.4mJ (on), 1mJ (off)
td (on/off) @ 25в°c14ns/160ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.5V @ 15V, 20A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
test condition960mV, 20A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)53ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль