Главная новостьTSMC обновила рекорд выручки на фоне запуска 2-нм техпроцесса N2
TSMC сообщила о выручке 442,68 млрд новых тайваньских долларов за июнь 2026 года — около 13,75 млрд долларов. Показатель вырос на 67,9% год к году и на 6,2% к маю; главным драйвером компания называет расширение...
В фокусеImec и Diraq создали 8-кубитный массив на 300-мм CMOS-процессе
Imec и Diraq продемонстрировали когерентное управление и считывание 8-кубитного массива на базе кремниевых спиновых кубитов . Линейная структура изготовлена на промышленной 300-мм платформе по CMOS-совместимому процессу;...
В фокусеITF World 2026: чиплеты и кремниевая фотоника формируют системную архитектуру
ITF World 2026 обозначил переход полупроводниковой отрасли от оптимизации отдельных кристаллов к совместному проектированию целых вычислительных систем. В центре этой модели — гетерогенная интеграция , объединяющая...
В фокусеV-Die и MOSAIC: вертикальная DRAM для охлаждения HBM-памяти
На симпозиуме VLSI 2026 исследователи из Южной Кореи и Японии представили архитектуры V-Die и MOSAIC . Обе концепции предлагают ставить кристаллы DRAM вертикально, «на ребро», чтобы увеличить плотность и пропускную...
В фокусеStackpole расширила серию токовых шунтов CSSU номиналами 0,5 и 20 мОм
Stackpole расширила серию токовых шунтов CSSU двумя номиналами — 0,5 и 20 мОм. Металлические измерительные резисторы сохраняют мощность 5 Вт в компактном SMD-корпусе 2512.
Номинал 0,5 мОм рассчитан на высокотоковые...
НовостиSK hynix и TetraMem создали мемристорный IMC-чип для edge AI
SK hynix , TetraMem и Университет Южной Калифорнии представили экспериментальный мемристорный IMC-чип для периферийных AI-устройств. Вычисления выполняются непосредственно в массивах памяти, что уменьшает обмен данными с...
НовостиMeta готовит к выпуску 3-нм AI-ускоритель MTIA v3 Iris
Meta намерена в сентябре запустить производство третьего поколения собственных ускорителей — MTIA v3 Iris . Заказной чип разрабатывался совместно с Broadcom и будет выпускаться по 3-нм техпроцессу TSMC .
Новый...
НовостиPanasonic представила PIR-датчики PaPIRs+ с удвоенной чувствительностью
Panasonic расширила линейку PIR-датчиков движения моделью PaPIRs+ для автоматизации зданий и интеллектуальной инфраструктуры. В основе обновления — переработанные пироэлектрические элементы: увеличенные и...
НовостиNavitas оспорила претензии Wolfspeed по патентам на силовые полупроводники
GaN и SiC снова оказались в центре отраслевого спора: Navitas заявила, что не согласна с претензиями Wolfspeed о нарушении патентов и намерена защищать свои продукты в суде. Для рынка силовых полупроводников это...
НовостиSEMI и TechSearch обновили карту рынка advanced packaging
Advanced packaging становится отдельным фактором доступности микросхем: SEMI и TechSearch International расширили базу Worldwide Assembly & Test Facility Database до более чем 820 предприятий финальной сборки и...
НовостиAOS представила 80-вольтовый MOSFET AOPL66801 в корпусе DFN6x5 AmpStack
AOS представила AOPL66801 — 80-вольтовый power-conversion MOSFET в корпусе DFN6x5 AmpStack для компактных полумостовых силовых каскадов.
Для разработчиков силовой электроники такой формат интересен сочетанием низкого...
НовостиInfineon поставит CoolSiC MOSFET 1200 В и драйверы затвора для ADVANTICS
Infineon поставит 1200-вольтовые CoolSiC MOSFET и двухканальные драйверы затвора EiceDRIVER 2EDB9259Y для новой линейки жидкостно-охлаждаемых преобразователей ADVANTICS.
Для рынка силовой электроники это важно из-за...
НовостиNexperia выпустила 1200-вольтовые SiC MOSFET в корпусе QDPAK
Nexperia расширила линейку силовой электроники: компания представила 1200-вольтовые SiC MOSFET в корпусе QDPAK для проектов с высокой плотностью мощности.
Корпус с верхним охлаждением рассчитан на более жёсткие...
