GaN и SiC снова оказались в центре отраслевого спора: Navitas заявила, что не согласна с претензиями Wolfspeed о нарушении патентов и намерена защищать свои продукты в суде. Для рынка силовых полупроводников это важно не только как юридическая новость, но и как сигнал о высокой ценности технологий wide-bandgap.
Компания подчёркивает, что продолжит развивать линейки силовых ИС и решений на базе кремния карбида, ориентированные на быстрорастущий спрос в энергоэффективных источниках питания, электроприводах и инфраструктуре питания. Такие споры могут влиять на стратегию поставщиков, но не отменяют технический тренд на более компактные и быстрые power-компоненты.
Для российских B2B-заказчиков практический вывод остаётся прежним: при выборе MOSFET, GaN-ключей и SiC-устройств стоит заранее проверять доступность аналогов, корпус, температурный диапазон, требования к драйверу и риски по срокам поставки. Особенно это актуально для DC-DC, зарядных устройств, промышленных инверторов и серверного питания.
Если проект зависит от конкретной силовой элементной базы, полезно держать несколько совместимых вариантов и проверять параметры не только по даташиту, но и по логистике. Для подбора дискретных силовых компонентов смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
