Nexperia расширила линейку силовой электроники: компания представила 1200-вольтовые SiC MOSFET в корпусе QDPAK для проектов с высокой плотностью мощности.
Корпус с верхним охлаждением рассчитан на более жёсткие тепловые режимы, где важны компактная компоновка, стабильный отвод тепла и предсказуемая работа в силовых узлах.
Для разработчиков это особенно актуально в DC-DC преобразователях, бортовых зарядных устройствах электромобилей, инфраструктуре зарядки, фотоэлектрических инверторах и ИБП.
Отдельный вывод Kelvin source помогает управлять коммутацией, снижать звон, электромагнитные помехи и переходные процессы — важные параметры при выборе MOSFET для промышленной компонентной базы.
Внутренняя ссылка: для подбора силовых транзисторов и аналогов смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
