Главная новостьНовости микроэлектроники: Emergence AI выводит нейроформальный ИИ на производства fabless-компаний
Emergence AI переводит свою нейроформальную AI -платформу из пилотов в промышленную эксплуатацию у fabless-разработчиков микросхем. По словам сооснователя и исполнительного председателя компании Сатьи Нитты (Satya Nitta), спрос на чипы превышает предложение, все фабрики загружены на полную мощность, и нарастить выпуск пластин уже невозможно —...
В фокусеНовости микроэлектроники: Infineon поставит SiC-транзисторы для твердотельного трансформатора Eaton в дата-центрах 800 В
SiC-транзисторы Infineon Technologies выберет Eaton для нового поколения твердотельного трансформатора MVSST 2.0 — платформы среднего напряжения, которая соединяет дата-центры с энергосетью и раздаёт питание по схеме 800V DC. Кремниевый карбид (SiC) переключается с меньшими потерями на высоких частотах, поэтому силовая преобразовательная ступень...
В фокусеНовости микроэлектроники: в Арканзасе создан институт электроники ARIES — SiC, GaN, фотоника и РФ
В США заработал Arkansas Research Institute for Electronics Systems (ARIES) — новый исследовательский институт, созданный на базе Университета Арканзаса. Его задача — разработка и вывод в производство силовой электроники , микросхем и полупроводников, устойчивых к самым жёстким условиям эксплуатации: от промышленности до оборонных применений....
В фокусеНовости микроэлектроники: VIS и NXP открыли фабрику VSMC в Сингапуре
Компании Vanguard International Semiconductor (VIS) и NXP Semiconductors 28 сентября торжественно открыли первую 300-мм фабрику совместного предприятия VSMC (VisionPower Semiconductor Manufacturing Company) в сингапурском районе Тампинес. Инвестиции в проект составили около 7,8 млрд долларов, фабрика уже вышла на этап опытного производства:...
В фокусеНовости микроэлектроники: рынок кремниевой фотоники и InP-фотонных интегральных схем вырастет до 48 млрд долларов к 2036 году
Аналитики прогнозируют, что рынок кремниевой фотоники и InP-фотонных интегральных схем вырастет до 48 млрд долларов к 2036 году. Технология фотонных интегральных схем (PIC) переносит приёмы полупроводникового производства на оптические функции: вместо отдельных лазеров и модуляторов на одной подложке собирается целая оптическая система.
Для...
НовостиНовости микроэлектроники: Navitas выполняет программу ALATTIS для 10-кВ SiC-полупроводников Армии США
Navitas — разработчик GaN- и SiC-решений — победила в конкурентном отборе Армии США: компании поручена программа ALATTIS (Accelerated, Large-Area, 10kV SiC IGBT) для создания нового поколения 10кВ карбид-кремниевых силовых полупроводников (10kV silicon carbide). Задача — отработать недоступный ранее американский производственный процесс...
НовостиWolfspeed вывела Premium 200-мм SiC-подложку с менее чем 3 микротрубками
Wolfspeed начала коммерческие поставки подложки Premium диаметром 200 мм из карбида кремния n-типа. Новая SiC-подложка рассчитана на производителей силовых приборов, которым нужны более крупные кристаллы, высокие рабочие напряжения и стабильный выход годных.
Для материала заявлена плотность микротрубок менее 0,01 на см² — то есть менее трёх...
НовостиFraunhofer IAF создал MMIC-усилитель с полосой 4–420 ГГц
Исследователи Fraunhofer IAF разработали распределённый MMIC усилитель на фирменной 20-нм технологии InGaAs-on-Si HEMT. Микросхема обеспечивает усиление 11 ± 2 дБ в исключительно широкой полосе от 4 до 420 ГГц.
До частоты 202 ГГц коэффициент шума составляет 3,2–7,7 дБ, а в режиме с оптимизацией по шуму — 2,8–6,7 дБ. Насыщенная выходная мощность...
НовостиWise Integration и Navitas объединят цифровое управление с GaN и SiC для AI-ЦОД
Wise Integration и Navitas Semiconductor договорились совместно развивать силовые решения для высокопроизводительных вычислений. Основное направление — блоки питания AI-дата-центров и новые топологии преобразования энергии от электросети до вычислительной нагрузки.
Партнёры объединят распределённое цифровое управление WiseWare с силовыми...
НовостиToshiba выпустила 3300-вольтовый SiC MOSFET-модуль IX800FXF2YMS4
Toshiba Electronic Devices & Storage представила IX800FXF2YMS4 — двухканальный SiC MOSFET-модуль для промышленного оборудования. Устройство рассчитано на 3300 В и 800 А и использует SiC-кристаллы третьего поколения в корпусе iXPLV.
Ключевой параметр новинки — предельное значение I²t 300 кА²с для диодной секции при начальной температуре...
НовостиRenesas представила миниатюрную mixed-signal микросхему SLG46801 GreenPAK
Renesas представила SLG46801 GreenPAK — конфигурируемую mixed-signal микросхему в сверхкомпактном 9-ball WLCSP. Корпус размером 1,155 × 1,155 мм рассчитан на носимую электронику, компактные датчики и другие устройства, где критичны площадь платы и количество дискретных компонентов.
В SLG46801 объединены два быстродействующих аналоговых...
НовостиЖидкометаллический композит самовосстанавливает проводящие дорожки
Исследователи Virginia Tech показали мягкий композит, в котором микрокапли жидкого металла EGaIn распределены внутри эластомера PDMS . Материал можно формовать в гибкие детали, сохраняя сочетание механической податливости и потенциальной электрической проводимости.
В исходном состоянии отдельные капли сплава галлия и индия изолированы друг от...
Новостиwafer.space: собственный микропроцессор на 180-нм техпроцессе стал доступнее
Проект Breaking Taps продемонстрировал работающий собственный микропроцессор , изготовленный через MPW-шаттл wafer.space. Это transport-triggered architecture с двумя шинами; по составу устройство ближе к системе-на-кристалле, поскольку объединяет вычислительное ядро, память и периферию.
Разработчик описал полный путь от аппаратного описания в...
