Исследователи Fraunhofer IAF разработали распределённый MMIC усилитель на фирменной 20-нм технологии InGaAs-on-Si HEMT. Микросхема обеспечивает усиление 11 ± 2 дБ в исключительно широкой полосе от 4 до 420 ГГц.
До частоты 202 ГГц коэффициент шума составляет 3,2–7,7 дБ, а в режиме с оптимизацией по шуму — 2,8–6,7 дБ. Насыщенная выходная мощность находится в диапазоне 6–8 дБм, поэтому разработка сочетает широкую полосу, низкий шум и практическую выходную мощность.
Такие СВЧ-компоненты востребованы в оптических интерфейсах центров обработки данных, прецизионных измерительных системах и радиолокационных датчиках высокого разрешения. Более широкая полоса помогает повысить скорость передачи, чувствительность, дальность и разрешение аппаратуры.
Образцы усилителя представят на European Microwave Week 2026 в Лондоне с 4 по 9 октября. Для подбора высокочастотной элементной базы смотрите раздел ВЧ усилители каталога ООО «Телеметрия».
