Компания XMax договорилась о покупке американского разработчика Hexa Creation, специализирующегося на вертикальных GaN-транзисторах на 1200 В. Технология нацелена на системы электропитания ИИ-дата-центров и другие высоковольтные применения, где нитрид-галлиевые приборы вытесняют традиционный кремний за счёт более высоких напряжений и КПД.
Для рынка силовой электроники сделка — ещё одно подтверждение смещения интереса от кремниевых и SiC-решений к GaN в диапазоне выше 650 В. Вертикальная структура прибора, в отличие от боковой, позволяет наращивать рабочее напряжение без потери плотности тока — ключевой параметр для серверных стойек и источников питания высокой мощности.
B2B-заказчикам, проектирующим DC-DC-преобразователи и серверные системы питания, стоит отслеживать появление таких приборов в доступности: расширение портфеля 1200-вольтовых GaN-устройств повлияет на выбор элементной базы в новых проектах и на сроки их согласования.
Для подбора силовых ключей, транзисторов и аналогов под проектные BOM смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
