Navitas — разработчик GaN- и SiC-решений — победила в конкурентном отборе Армии США: компании поручена программа ALATTIS (Accelerated, Large-Area, 10kV SiC IGBT) для создания нового поколения 10кВ карбид-кремниевых силовых полупроводников (10kV silicon carbide). Задача — отработать недоступный ранее американский производственный процесс ультравысоковольтных SiC IGBT и сопутствующих PiN-диодов: проектирование, изготовление и испытания по циклу прототипа. Программу курирует Army Research Laboratory (DEVCOM) при поддержке ускорителя JETX, а результаты предназначены для критически важных оборонных и инфраструктурных систем.
Портфель GeneSiC от Navitas строится вокруг trench-assisted planar (TAP) MOSFET и охватывает напряжения от 650 В до 6,5 кВ; компания ранее показала 6,5-кВ SiC-тиристоры, PiN-диоды на 10–15 кВ и коммерческие 6,5-кВ SiC MOSFET. Для российского B2B-рынка это сигнал по направлению SiC: ультравысоковольтные технологии выходят за лабораторную стадию, и стоит заранее оценивать доступность компонентов, аналоги и требования к спецификациям.
Практический фокус для инженеров — GaN и SiC MOSFET в новых проектах: тенденции оборонных закупок США обычно задают темп и для промышленной силовой электроники. Новости такого типа помогают вовремя обновлять планы закупок и проектные BOM.
Если тема связана с вашим проектом, проверьте полевые транзисторы по параметрам, корпусам, температурным диапазонам и совместимости с существующей компонентной базой.
Контекст для подбора: DC-DC-преобразователи, драйверы и силовые каскады на широкозонных полупроводниках для российской инженерной команды.
Внутренняя ссылка: для подбора компонентной базы на складе и под заказ смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET в каталоге ООО «Телеметрия».
