Toshiba Electronic Devices & Storage представила IX800FXF2YMS4 — двухканальный SiC MOSFET-модуль для промышленного оборудования. Устройство рассчитано на 3300 В и 800 А и использует SiC-кристаллы третьего поколения в корпусе iXPLV.
Ключевой параметр новинки — предельное значение I²t 300 кА²с для диодной секции при начальной температуре канала 175 °C, VGS = −6 В и 10-мс полусинусоидальном импульсе. Для силовой электроники это показатель способности выдерживать кратковременные аварийные токи и повышать надёжность преобразователя.
Модуль ориентирован на тяговые инверторы железнодорожного транспорта, системы возобновляемой энергетики и промышленное управление электродвигателями. Номиналы 3300 В / 800 А позволяют разработчикам сочетать высокий класс напряжения, компактность и низкие коммутационные потери в тяжёлых режимах.
При выборе аналога инженерам важно сопоставлять напряжение, ток, I²t диодной секции, коммутационные потери, тепловой режим и требования к драйверу затвора. Для подбора силовых компонентов смотрите раздел Полевые транзисторы FET/MOSFET каталога ООО «Телеметрия».
