- Главная →
- Электронные компоненты →
- Транзисторы →
- Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Все фильтры
Цена
Структура
статический коэффициент передачи тока h21э мин
Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - 2322
Показывать по



![DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C, DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,](/wa-data/public/shop/products/93/11/141193/images/175902/175902.300x0.jpg)









