RGT40TM65DGC9

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGT40TM65DGC9
Основные
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
подкатегория:IGBTs
850
+
Бонус: 17 !
Бонусная программа
Итого: 850
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Траншейные IGBT с полевой остановкой ROHM Trench с полевой остановкой IGBT - это энергосберегающие высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти БТИЗ имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, выдерживают короткое замыкание и обладают очень быстрым встроенным усилителем; мягкое восстановление FRD. Траншейные БТИЗ с ограничителем поля идеальны для ИБП, стабилизаторов напряжения, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Основные
вид монтажа:Through Hole
максимальная рабочая температура:+ 175 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
подкатегория:IGBTs
производитель:ROHM Semiconductor
тип продукта:IGBT Transistors
торговая марка:ROHM Semiconductor
размер фабричной упаковки:50
упаковка:Tube
другие названия товара №:RGT40TM65D
упаковка / блок:TO-220-3
Вес и габариты
pd - рассеивание мощности:39 W
технология:Si
конфигурация:Single
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:650 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:17 A
ток утечки затвор-эмиттер:200 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль