FGH75T65SQDT-F155, БТИЗ транзистор, траншейного типа, 150 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В, TO-247,

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGH75T65SQDT-F155
FGH75T65SQDT-F155, БТИЗ транзистор, траншейного типа, 150 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
1 480
+
Бонус: 29.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 480
Купить

FGH75T

  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты

Описание транзистора FGH75T65SQDT-F155

Мощный IGBT транзистор траншейного типа 650 В, 150 А для промышленных решений

Транзистор FGH75T65SQDT-F155 от ON Semiconductor — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), созданный на основе технологии Field Stop 4-го поколения для минимизации потерь и повышения эффективности. Устройство предназначено для применения в высоконагруженных системах, таких как солнечные инверторы, ИБП, сварочное оборудование и телекоммуникационные решения511.

Ключевые параметры:

  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 650 В — устойчивость к высоким нагрузкам в промышленных условиях514.
  • Максимальный ток коллектора (IC): 150 А (при 25°C) — поддержка высокомощных систем11.
  • Падение напряжения (VCEsat): 1.6 В (тип.) — снижение тепловых потерь и повышение энергоэффективности511.
  • Мощность рассеивания (Pc): 375 Вт — надежная работа в условиях длительных нагрузок14.
  • Корпус: TO-247AC-3 — компактный дизайн с улучшенным теплоотводом14.

Особенности и преимущества:

  • Технология Field Stop Trench: Обеспечивает низкие потери при переключении и проводимости, что критично для солнечных инверторов и систем PFC513.
  • Высокая температура перехода (Tj): До 175°C — стабильная работа в экстремальных условиях511.
  • Положительный температурный коэффициент: Упрощает параллельное подключение транзисторов для увеличения мощности системы5.
  • Совместимость с RoHS: Экологически безопасная конструкция5.

Применение:

  • Преобразователи солнечной энергии, ИБП, сварочные аппараты.
  • Телекоммуникационное оборудование и системы накопления энергии (ESS)513.
  • Силовые корректоры коэффициента мощности (PFC) и промышленная автоматизация.

Почему выбирают FGH75T65SQDT-F155?

  • Надежность: Тестирование 100% компонентов на соответствие параметрам ILM5.
  • Энергоэффективность: Низкое падение напряжения и быстрый отклик (время переключения 10 нс)11.
  • Гибкость монтажа: Корпус TO-247AC-3 совместим с большинством промышленных плат14.

Производитель: ON Semiconductor — мировой лидер в области энергоэффективных полупроводниковых решений.

Ключевые слова для SEO:
IGBT транзистор, траншейный тип, 150 А, 650 В, 1.6 В, 375 Вт, TO-247, Field Stop технология, солнечный инвертор, промышленная автоматизация, ON Semiconductor.

Для заказа укажите требуемую конфигурацию и свяжитесь с менеджером.


Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT

Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
pd - рассеивание мощности375 W
Вес и габариты
конфигурацияSingle
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c150 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль