Name: DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,
SKU: DF80R07W1H5FPB11BPSA1

DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,

Подробное описание

Основные
вес, г	1
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C

8 020 ₽

– +

Бонус: 160.4 !

Бонусная программа

Итого: 8 020 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Основные
вес, г	1
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
упаковка / блок	Module
серия	Trenchstop IGBT5 - H5
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP EasyPACK CoolSIC
pd - рассеивание мощности	20 mW
другие названия товара №	DF80R07W1H5FP_B11 SP001781604
Вес и габариты
технология	SiC
конфигурация	Dual
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	20 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA

Отзывов нет

Кнопки