- Главная →
- Электронные компоненты →
- Транзисторы →
- Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Электронные компоненты Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) в магазине ООО «Телеметрия»
Все фильтры
Цена
Структура
статический коэффициент передачи тока h21э мин
Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - 2322
Показывать по





![DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C](/wa-data/public/shop/products/12/05/140512/images/175518/175518.300x0.jpg)





![DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C, DF80R07W1H5FPB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 40 А, 1.4 В, 150 °C,](/wa-data/public/shop/products/26/05/140526/images/175525/175525.300x0.jpg)

