DF1000R17IE4D_B2
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![BUL310FP, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=500В, Vcbo=1000В, Pd=36Вт [TO-220F]](/wa-data/public/shop/products/02/46/184602/images/220814/220814.300x0.jpg "BUL310FP, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=500В, Vcbo=1000В, Pd=36Вт [TO-220F]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
