RGT50TM65DGC9

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
RGT50TM65DGC9
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
940
+
Бонус: 18.8 !
Бонусная программа
Итого: 940
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - SingleIGBT Trench Field Stop 650V 21A 47W сквозное отверстие TO-220NFM
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220NFM
pd - рассеивание мощности133 W
другие названия товара №RGT50TM65D
base product numberRGT50 ->
input typeStandard
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c30 A
ток утечки затвор-эмиттер200 nA
current - collector (ic) (max)21A
current - collector pulsed (icm)75A
gate charge49nC
igbt typeTrench Field Stop
power - max47W
td (on/off) @ 25в°c27ns/88ns
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 25A
voltage - collector emitter breakdown (max)650V
test condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
reverse recovery time (trr)58ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль