IKA10N65ET6XKSA2, БТИЗ транзистор, 15 А, 1.5 В, 40 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IKA10N65ET6XKSA2
IKA10N65ET6XKSA2, БТИЗ транзистор, 15 А, 1.5 В, 40 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г4.3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
Основные
вес, г4.3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
серияIGBT6
коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности40 W
другие названия товара №IKA10N65ET6 SP001701334
Вес и габариты
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c15 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.15 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль